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IRFI644G

TO-220-3 全封装,隔离接片 Vishay Siliconix 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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IRFI644G参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
包装数量:1000
包装形式:管件
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

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